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Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 8 GB Interner Speichertyp DDR3 Speichertaktfrequenz 1600 MHz Komponente für Notebook Memory form faktor 204-pin SO-DIMM Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB CAS Latenz 11 Speicherspannung 1,35V Memory Kanäle support Single
Kurzinfo: G.Skill - DDR3 SO-DIMM - 4 GB - 1600 MHz - 1.35 V Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-1600C11S-4GSL Modell EAN/UPC 4711148591720 Produktbeschreibung: G.Skill - DDR3 SO-DIMM - 4 GB Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SO-DIMM RAM Erweiterungstyp Generisch Geschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten (11-11-11-28) Leistungsmerkmale Niederspannung Spannung 1.35 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SO-DIMM RAM Geschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten (11-11-11-28) Besonderheiten Niederspannung Spannung 1.35 V Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher
Das G.Skill F3-1600C9D-8GSL ist ein Dual-Channel-Kit und besteht aus zwei 4-GB-DDR3-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL9). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.
Memory (RAM), 4 GB (Single Channel), SODIMM 204-pin (for laptop), DDR3L, 1600 MHz / PC3L-12800, CL9-9-9-28, 1.35 V, unbuffered, non-ECC - G.Skill Standard series
Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus der Ripjaws-Serie und besteht aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.
Dieses G.Skill Dual-Channel Kit aus der Ripjaws-Serie besteht aus zwei 4-GB-DDR3-1333-Speichermodulen (PC3-10600) in DIMM-Bauform. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module sind mit schwarz/roten Kühlkörpern ausgestattet und auf Latenzen von 9-9-9-24 bei 1333 MHz programmiert.
Synology D3NS1866L-4G | d3ns1866l-4g | Speicherkapazität : 4 GBECC : NeinProduktfarbe : GrünSpeichertaktfrequenz : 1866 MHzInterner Speichertyp : DDR3LMemory Formfaktor : 204-pin SO-DIMMWarentarifnummer (HS) : 84733020Ursprungsland : Taiwan.
rnSchnelle und zuverlässige DDR4 SODIMM für Systeme mit Intel-Kernen der sechsten GenerationrnCorsair ValueSelect DDR4 SODIMM Speichermodule wurden entwickelt, um die Industrienormen zu übertreffen und so bestmögliche Kompatibilität mit praktisch allen Intel-PCs der sechsten Generation zu ren.rnrnSie werden aus ausgewählten Komponenten zusammengesetzt und sorgfältig auf stabilen, zuverlässigen Betrieb geprüft. Und da sie durch eine beschränkte geschützt sind, können Sie ganz beruhigt sein, wenn Sie rund um die Uhr zuverlässige Systeme brauchen.rnrnEntwickelt für Laptop- und Notebook-PCsrnPraktisch alle Notebook- und Laptop-PCs verwenden SPDIMM-Speichermodule. Einige Systeme verwenden den DDR4 SODIMM-Standard, einige den älteren DDR3 SODIMM-Standard. Nicht sicher, welchen Typ Sie brauchen? Wir stehen Ihnen mit Rat und Tat zur Seite.rnrn Hauptmerkmale rn rn Speicher rn RAM-Speicher 8 GB rn Interner Speichertyp DDR4 rn Speichertaktfrequenz 2133 MHz rn Komponente
Kurzinfo: Kingston - DDR4 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz - CL22 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Kingston Hersteller Art. Nr. KCP432ND8/32 Modell EAN/UPC 0740617311457 Produktbeschreibung: Kingston - DDR4 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz Latenzzeiten CL22 Leistungsmerkmale Dual Rank, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 3200 MHz Latenzzeiten CL22 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Dual Rank, ungepuffert Chip-Organisation X8 Spannung 1.2 V