SO-DIMM 16 GB DDR3L-1600 Kit, Arbeitsspeicher

Der Single-Channel F3-1600C11S-4GRSL besteht aus einem 4-GB-DDR3-1600-SO-DIMM (PC3-12800) von G.Skill. Das Modul ist auf die Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz getestet. Das 204-pin Unbuffered SO-DIMM-Modul ist mit FBGA-Chips bestückt und besitzt vergoldete Kontakte.

Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.

Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 8 GB Interner Speichertyp DDR3 Speichertaktfrequenz 1600 MHz Komponente für Notebook Memory form faktor 204-pin SO-DIMM Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB CAS Latenz 11 Speicherspannung 1,35V Memory Kanäle support Single

Kurzinfo: G.Skill ARES - DDR3 - Kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 240-PIN - 2133 MHz / PC3-17000 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-2133C11D-16GAR Modell G.Skill ARES EAN/UPC 4719692000538 Produktbeschreibung: G.Skill ARES - DDR3 - Kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 240-PIN - 2133 MHz / PC3-17000 - ungepuffert Produkttyp Speicher-Kit Kapazität 16 GB: 2 x 8 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2133 MHz (PC3-17000) Latenzzeiten CL11 (11-13-13-31) Leistungsmerkmale Intel Extreme Memory Profiles (XMP), Dualer Kanal, roter Heatspreader, Low Profile-Wärmeverteiler, ungepuffert Spannung 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB: 2 x 8 GB Erweiterungstyp Generisch Arbeitsspeicher Typ DRAM Speicher-Kit Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.3 Geschwindigkeit 2133 MHz (PC3-17000) Latenzzeiten CL11 (11-13-13-31) Datenintegritätsprüfung Non-ECC

Dieser Single-Channel F3-1600C11S-4GSL besteht aus einem 4-GB-DDR3-1600-SO-DIMM (PC3-12800) von G.Skill. Das Modul ist auf die Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz getestet. Das 204-pin Unbuffered SO-DIMM-Modul ist mit FBGA-Chips bestückt und besitzt vergoldete Kontakte.

- Multimedia-Technik Speichermodule - SO DDR3 4GB PC 1600 CL9 G.Skill (1x4GB) 4GSL 1.35V

Das G.Skill F3-1600C11D-8GRSL ist ein Dual-Channel-Kit aus der Ripjaws-Serie und besteht aus zwei 4-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.

Kurzinfo: Other World Computing - DDR3 - Kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO DIMM 204-PIN - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Other World Computing Hersteller Art. Nr. OWC8566DDR3S4GP Modell Other World Computing EAN/UPC 0794504767728 Produktbeschreibung: Other World Computing - DDR3 - Kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO DIMM 204-PIN - 1066 MHz / PC3-8500 - ungepuffert Produkttyp Speicher-Kit Kapazität 4 GB: 2 x 2 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 1066 MHz (PC3-8500) Latenzzeiten CL7 Leistungsmerkmale Dual Rank, ungepuffert Spannung 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB: 2 x 2 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Arbeitsspeicher Typ DRAM Speicher-Kit Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1066 MHz (PC3-8500) Latenzzeiten CL7 Zugriffszeit 1.875 ns Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Dual Rank, ungepuffert Modulkonfiguration

ValueRAM Kingstons Industriestandard-Speicher bietet erstklassige Leistung und die legendäre Zuverlässigkeit von Kingston. Wenn Sie wissen was Sie wollen ist ValueRAM das was Sie wollen. Eigenschaften Stromversorgung: VDD = 1 2 V typisch VDDQ = typisch 1 2 V VPP – typisch 2 5 V VDDSPD = 2 2 V bis 3 6 V Nomineller und dynamischer On-Die-Abschluss (ODT) für Datensignale Strobes und Masken Automatische Selbstauffrischung mit geringem Stromverbrauch (LPASR) Datenbusinversion (DBI) für den Datenbus Generierung und Kalibrierung von VREFDQ in der Matrix Doppelter Rang Integriertes I2 Serial Presence Detection (SPD) EEPROM 16 interne Banken 4 Gruppen zu je 4 Bänken Burst Cutoff (BC) von 4 und Burst Length (BL) von 8 über Mode Register Set (MRS) behoben BC4 oder BL8 im laufenden Betrieb wählbar (OTF) Flugtopologie Steuerbefehl und Adressbus abgeschlossen Leiterplatte: Höhe 1 23" (31 25 mm) RoHS-konform und halogenfrei Spezifikationen Eigenschaften CAS-Latenz: 19 Interner Speicher: 16 GB Interner Speichertyp: DDR4 Spe...

- Multimedia-Technik Speichermodule - DDR4 16GB PC 2666 CL18 CORSAIR Value Select retail