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Kurzinfo: SILICON POWER Slim S55 - SSD - 480 GB - intern - 2.5 (6.4 cm) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP480GBSS3S55S25 Modell SILICON POWER Slim S55 EAN/UPC 5902805401622 Produktbeschreibung: SILICON POWER Slim S55 - SSD - 480 GB - SATA 6Gb/s Produktbeschreibung SILICON POWER Slim S55 - Solid-State-Disk - 480 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Typ Solid State Drive - intern Kapazität 480 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Error Correction Code (ECC), S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100 mm x 7 mm Gewicht 74 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 480 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle

Kurzinfo: SILICON POWER Ace A55 - SSD - 512 GB - intern - 2.5 (6.4 cm) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP512GBSS3A55S25 Modell SILICON POWER Ace A55 EAN/UPC 4712702659122 Produktbeschreibung: SILICON POWER Ace A55 - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s Produktbeschreibung SILICON POWER Ace A55 - SSD - 512 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Typ Solid State Drive - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale SLC-Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Native Command Queuing (NCQ), RAID bereit, Error Correction Code (ECC), stoßfest, Bad Block Management, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.9 mm x 100 mm x 7 mm Gewicht 63 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell

Kurzinfo: SILICON POWER Ace A55 - SSD - 1 TB - intern - 2.5 (6.4 cm) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP001TBSS3A55S25 Modell SILICON POWER Ace A55 EAN/UPC 4712702659139 Produktbeschreibung: SILICON POWER Ace A55 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s Produktbeschreibung SILICON POWER Ace A55 - SSD - 1 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale SLC-Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Native Command Queuing (NCQ), RAID bereit, Error Correction Code (ECC), stoßfest, Bad Block Management, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.9 mm x 100 mm x 7 mm Gewicht 63 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC)

Kurzinfo: SILICON POWER UD90 - SSD - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP01KGBP44UD9005 Modell SILICON POWER UD90 EAN/UPC 4713436147305 Produktbeschreibung: SILICON POWER UD90 - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, Host Memory Buffer (HMB), Low-Density Parity Check, SLC-Cache, RAID-Schutz, End-to-End-Datenschutz Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, Host Memory Buffer (HMB), Low-Density Parity Check, SLC-Cache, RAID-Schutz, End-to-End-Datenschutz Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 8 g Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität

Das revolutionäre Speichermodul - DDR4 SODIMM ist kompatibel mit Intel Skylake Plattform und 100-Serie Motherboards, sodass eine höhere Stabilität und Leistung für fortgeschrittene Spieler, Multimedia-Profis und Heimwerker erreicht wird.rnrn

Kurzinfo: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP016GBSFU320X02 Modell SILICON POWER EAN/UPC 4713436144151 Produktbeschreibung: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL22 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Arbeitsspeicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL22 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC

Unsere Reihe von Silicon Power DDR4 SODIMM-Speichern wurde entwickelt um das Beste aus Ihrem System herauszuholen. Sie erreicht die branchenweit höchsten Geschwindigkeiten gemäß JEDEC-Standards (bis zu 3200 MT/s). Die DDR4-Technologie ist im Vergleich zu DDR3 in der Lage mehr Bandbreite bereitzustellen und die Energieeffizienz erheblich zu verbessern. Diese einfache Verbesserung ermöglicht es Ihnen Ihre Anwendungen schneller zu laden die Reaktionszeiten Ihres Systems zu verbessern und die anspruchsvollsten Programme zu nutzen. Eigenschaften Höhere Leistung niedrigere Energiekosten. Mehr Speicher ist das klassische Mittel um die Geschwindigkeit eines langsamen Computers zu erhöhen. Allerdings können die Kosten für die Energieeffizienz für Sie und Ihre Computerkomponenten sehr hoch sein. Dieses DDR4-SODIMM verbessert nicht nur die Leistung Ihres Systems sondern trägt auch wesentlich zur Energieeinsparung bei. Eine Spannung von nur 1 2 V im Vergleich zu 1 5 V bei DDR3-Modulen führt zu einem geringeren Stromverbr...

Kurzinfo: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP032GBLFU320X02 Modell SILICON POWER EAN/UPC 4713436144113 Produktbeschreibung: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - ungepuffert Produktbeschreibung SILICON POWER - DDR4 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 1600 MHz / PC4-25600 - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Geschwindigkeit 1600 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL22 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Arbeitsspeicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Geschwindigkeit 1600 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL22 Datenintegritätsprüfung