G.Skill

Steigern Sie die Leistung Ihres Notebooks mit dem G.Skill F3-1600C11S-4GRSL SO-DIMM und erleben Sie reaktionsschnelles Multitasking bei anspruchsvollen Anwendungen. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill F3-1600C11S-4GRSL 4GB 1x4GB DDR3L 1600MHz CL11 SO-DIMM Low Voltage Mit diesem SO-DIMM-Modul profitieren Sie von 4 GB DDR3L RAM und einer Taktfrequenz von 1600 MHz. Die niedrige Betriebsspannung von 1 35 V gewährleistet eine verbesserte Energieeffizienz und längere Akkulaufzeiten in Mobilgeräten – perfekt für Technikbegeisterte Entwickler und Power-User. Dank CL11-Latenz profitieren Sie von schnellen Datenzugriffszeiten was sich besonders im professionellen Einsatz wie CAD Datenanalyse oder Gaming bemerkbar macht. Das RAM-Modul eignet sich ideal als Upgrade für moderne Notebooks und sorgt für eine flüssige Benutzererfahrung bei Multitasking Multimedia und produktiver Arbeit. Die Kompatibilität mit DDR3L SO-DIMM 204 Pin Steckplätzen macht die Installation einfach und problemlos. Maximieren Sie die Performance Ihres ...

Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.

Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 8 GB Interner Speichertyp DDR3 Speichertaktfrequenz 1600 MHz Komponente für Notebook Memory form faktor 204-pin SO-DIMM Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB CAS Latenz 11 Speicherspannung 1,35V Memory Kanäle support Single

Kurzinfo: G.Skill - DDR3 SO-DIMM - 4 GB - 1600 MHz - 1.35 V Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-1600C11S-4GSL Modell EAN/UPC 4711148591720 Produktbeschreibung: G.Skill - DDR3 SO-DIMM - 4 GB Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SO-DIMM RAM Erweiterungstyp Generisch Geschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten (11-11-11-28) Leistungsmerkmale Niederspannung Spannung 1.35 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SO-DIMM RAM Geschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten (11-11-11-28) Besonderheiten Niederspannung Spannung 1.35 V Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher

Das G.Skill F3-1600C9D-8GSL ist ein Dual-Channel-Kit und besteht aus zwei 4-GB-DDR3-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL9). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.

- Multimedia-Technik Speichermodule - SO DDR3 4GB PC 1600 CL9 G.Skill (1x4GB) 4GSL 1.35V

Das G.Skill F3-1600C11D-8GRSL ist ein Dual-Channel-Kit aus der Ripjaws-Serie und besteht aus zwei 4-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.

Maximieren Sie die Notebook-Leistung mit der G.Skill 16GB DDR3 1600MHz CL11. Dieses Dual-Channel-Kit bringt schnelle Multitasking-Power und maximale Stabilität in anspruchsvolle Arbeitsumgebungen. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill 16GB 2x8GB DDR3 1600MHz CL11 Mit 16 GB aufgeteilt in zwei 8-GB-Module liefert dieses Dual-Channel-Kit eine exzellente Speicherbandbreite perfekt für professionelle Anwender Power-User und Mobile-Gamer. Die DDR3-1600MHz-Taktung sorgt für solide Performancesteigerungen beim parallelen Arbeiten während die niedrige CAS-Latenz von 11 schnelle Datenzugriffe gewährleistet und Ladezeiten minimiert. Dank des niedrigen 1 35V-Betriebs ist die RAM-Lösung energieeffizient und erzeugt weniger Wärme – ideal für den Einsatz in hochwertigen Notebooks die Dauerbetrieb und Zuverlässigkeit erfordern. Die Kompatibilität zu Standard-DDR3-Notebooks unterstützt eine Aufrüstung ohne Komplikationen wodurch Sie Ihr System kosteneffizient revitalisieren können. Ob bei technisch anspruchsvoller Bildbearbeitung...

Kurzinfo: G.Skill AEGIS - DDR4 - Kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F4-2400C17D-16GIS Modell AEGIS EAN/UPC 4719692017734 Produktbeschreibung: G.Skill AEGIS - DDR4 - Kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - ungepuffert Produkttyp Speicher-Kit Kapazität 16 GB: 2 x 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17-39) Leistungsmerkmale Dualer Kanal, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB: 2 x 8 GB Erweiterungstyp Generisch Arbeitsspeicher Typ DRAM Speicher-Kit Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.2 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17-39) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Dualer Kanal, Intel Extreme

Steigern Sie die Leistung Ihres PCs mit dem G.Skill Ripjaws 8GB DDR3 Arbeitsspeicher ideal für flüssiges Multitasking und reaktionsschnelles Gaming.Eigenschaften Arbeitsspeicher RAM G.Skill Ripjaws 8GB DDR3 1600MHzDer G.Skill Ripjaws Arbeitsspeicher bietet eine Gesamtkapazität von 8 GB aufgeteilt in zwei Module mit je 4 GB optimiert für DDR3-kompatible Systeme. Mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz und einer CAS-Latenz von 9 gewährleistet er schnelle Reaktionszeiten und effizientes Management speicherintensiver Anwendungen – perfekt für Gamer Content-Ersteller und technische Profis.Das 240-Pin DIMM-Format sorgt für breite Kompatibilität mit vielen Desktop-Mainboards. Das Kit arbeitet mit einer Standardspannung von 1 5 V und garantiert Stabilität und Zuverlässigkeit. Die roten Kühlkörper bieten nicht nur ein ansprechendes Design sondern verbessern auch die Wärmeableitung und verlängern so die Lebensdauer der Module.Dieses Dual-Channel-Kit ist ideal für Anwender die die Systemflüssigkeit verbessern möchten ohne K...